[00278629]一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610909871.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南昌大学
进入空间
所在地：江西南昌市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，包括化学镀Ni‑W‑P层和电镀Cu层。其中化学镀Ni‑W‑P层，其成分按质量百分比构成为77‑80% Ni，14‑16% W，6‑7% P，所述镀层厚度为3~10µm；而电镀Cu层，其厚度为0.5~3µm。本发明制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层成分符合电子封装锡基焊点界面反应阻挡层的使用要求，且镀层与基板结合紧密，镀层平整，厚度均匀，结构致密。本发明具有工艺流程简单、工艺参数容易控制等优势，所制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层对锡基焊点界面化合物生长具有非常有效的抑制作用。
摘要：一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，包括化学镀Ni‑W‑P层和电镀Cu层。其中化学镀Ni‑W‑P层，其成分按质量百分比构成为77‑80% Ni，14‑16% W，6‑7% P，所述镀层厚度为3~10µm；而电镀Cu层，其厚度为0.5~3µm。本发明制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层成分符合电子封装锡基焊点界面反应阻挡层的使用要求，且镀层与基板结合紧密，镀层平整，厚度均匀，结构致密。本发明具有工艺流程简单、工艺参数容易控制等优势，所制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层对锡基焊点界面化合物生长具有非常有效的抑制作用。
