[00275812]一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510476900.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用，属于纳米材料性能原位测试技术领域。本发明的芯片包括硅基片、绝缘层和薄膜窗口，在硅基片两面都长有绝缘层；芯片正面绝缘层上长有金属薄膜或器件，或者半导体功能薄膜或器件，可对样品施加各类物理、化学作用；芯片中央有薄膜窗口，在薄膜窗口区域开有大长宽比透电子束长孔或透电子束长槽，本发明能够在原子尺度分辨率下对透射电镜样品进行原位测量，除了可原位表征纳米线、纳米管样品外，也可实现块体样品、异质结界面样品的原位表征，同时能够实现在聚焦离子束系统内和实验室中用微操作手放置样品，也可以对已转移固定在芯片上的样品使用离子减薄设备进行继续加工。
本发明公开了一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用，属于纳米材料性能原位测试技术领域。本发明的芯片包括硅基片、绝缘层和薄膜窗口，在硅基片两面都长有绝缘层；芯片正面绝缘层上长有金属薄膜或器件，或者半导体功能薄膜或器件，可对样品施加各类物理、化学作用；芯片中央有薄膜窗口，在薄膜窗口区域开有大长宽比透电子束长孔或透电子束长槽，本发明能够在原子尺度分辨率下对透射电镜样品进行原位测量，除了可原位表征纳米线、纳米管样品外，也可实现块体样品、异质结界面样品的原位表征，同时能够实现在聚焦离子束系统内和实验室中用微操作手放置样品，也可以对已转移固定在芯片上的样品使用离子减薄设备进行继续加工。
