[00274771]III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510237489.9
交易方式:
技术转让
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技术入股
联系人:
南京大学
进入空间
所在地:江苏南京市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件,所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列,纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层,直至n型氮化物层内部,所述纳米孔阵列内填充有II-VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II-VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移,提高器件发光效率;通过改变填充量子点的种类和配比,以调节发光波长与强度,能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件,所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列,纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层,直至n型氮化物层内部,所述纳米孔阵列内填充有II-VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II-VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移,提高器件发光效率;通过改变填充量子点的种类和配比,以调节发光波长与强度,能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。