[00274539]光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
交易价格：
面议
所属行业：
广播电视
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200910234266.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
