[00272262]一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510096762.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂窝状排列。该阵列单元结构能够有效地提高SPAD器件的填充系数，增加芯片的利用率，为高密度全集成的SPAD阵列提供了可能。
本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂窝状排列。该阵列单元结构能够有效地提高SPAD器件的填充系数，增加芯片的利用率，为高密度全集成的SPAD阵列提供了可能。
