[00264475]CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610453782.3
交易方式：
技术转让
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联系人：
四川大学
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所在地：四川成都市
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对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
