[00260473]一种超微锥电极阵列及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
自动化元件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201010013597.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜，并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口；其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑，后去除残留的SiO2膜；然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜，随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料，并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形；再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜，并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口；最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台，再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极，最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜，并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口；其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑，后去除残留的SiO2膜；然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜，随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料，并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形；再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜，并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口；最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台，再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极，最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
