[00260472]基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
自动化元件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710527246.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法，结构包括由四根直梁支撑的中间质量块，中间质量块前端设置探针，中间质量块前后布置有平衡、工作栅极阵列，平衡、工作栅极阵列相对中间质量块的中心偏移，中间质量块、直梁、探针与SiO2绝缘层不接触，p型Si基底部分区域形成源、漏极，源、漏极之间的区域形成导电沟道，部分区域形成P+电极；制备方法先在P型Si基底制备好源极、漏极、导电沟道、P+电极并热氧生成SiO2绝缘层并进行刻蚀图形化，然后与另一块多晶硅键合，对多晶硅部分区域进行硼离子重掺杂形成工作栅极阵列，前部刻蚀出探针的图形，再刻蚀完成中间质量块，直梁的全部图形化，本发明微力传感器能够用于nN量级微力的测量。
一种基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法，结构包括由四根直梁支撑的中间质量块，中间质量块前端设置探针，中间质量块前后布置有平衡、工作栅极阵列，平衡、工作栅极阵列相对中间质量块的中心偏移，中间质量块、直梁、探针与SiO2绝缘层不接触，p型Si基底部分区域形成源、漏极，源、漏极之间的区域形成导电沟道，部分区域形成P+电极；制备方法先在P型Si基底制备好源极、漏极、导电沟道、P+电极并热氧生成SiO2绝缘层并进行刻蚀图形化，然后与另一块多晶硅键合，对多晶硅部分区域进行硼离子重掺杂形成工作栅极阵列，前部刻蚀出探针的图形，再刻蚀完成中间质量块，直梁的全部图形化，本发明微力传感器能够用于nN量级微力的测量。
