[00260470]一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法
交易价格：
面议
所属行业：
自动化元件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310169904.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供了一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法，首先采用原子层沉积法在Si基底上制备Al2O3薄膜，然后采用光刻工艺将纳米台阶平面图形转移到Al2O3薄膜，通过湿法刻蚀对样品进行腐蚀，去除掩蔽层，得到纳米台阶结构；所得的纳米台阶具有表面粗糙度小，高度可控的特点，能够为纳米台阶样板的制备提供一个新的方法。
本发明提供了一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法，首先采用原子层沉积法在Si基底上制备Al2O3薄膜，然后采用光刻工艺将纳米台阶平面图形转移到Al2O3薄膜，通过湿法刻蚀对样品进行腐蚀，去除掩蔽层，得到纳米台阶结构；所得的纳米台阶具有表面粗糙度小，高度可控的特点，能够为纳米台阶样板的制备提供一个新的方法。
