[00260445]一种自支撑碳化硅纳米线纸及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610566429.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种自支撑碳化硅纳米线纸及其制备方法，属于纳米材料制备及其自组装技术领域。包括以下步骤：1)以甲基三甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷为原料，以硝酸作为交联催化剂，采用共水解法制备硅凝胶，然后干燥，制得干凝胶；2)将干凝胶放入带有石墨盖的石墨坩埚中，并置于气压烧结炉中，将气压炉的气压抽到0.1Pa以下，以高纯氩气填充气压炉，并以2～10℃/min升温至1320～1500℃，保温一个小时；3)随炉冷却至室温，在石墨基体上生长出一层灰绿色的纳米线层，将纳米线层从石墨基体上剥离，制得自支撑碳化硅纳米线纸。该方法能够在纳米线生长的过程中同时实现纳米线的自组装，经该方法制得的纳米线纸的厚度可调，单次制得的纳米线纸的面积大。
本发明公开了一种自支撑碳化硅纳米线纸及其制备方法，属于纳米材料制备及其自组装技术领域。包括以下步骤：1)以甲基三甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷为原料，以硝酸作为交联催化剂，采用共水解法制备硅凝胶，然后干燥，制得干凝胶；2)将干凝胶放入带有石墨盖的石墨坩埚中，并置于气压烧结炉中，将气压炉的气压抽到0.1Pa以下，以高纯氩气填充气压炉，并以2～10℃/min升温至1320～1500℃，保温一个小时；3)随炉冷却至室温，在石墨基体上生长出一层灰绿色的纳米线层，将纳米线层从石墨基体上剥离，制得自支撑碳化硅纳米线纸。该方法能够在纳米线生长的过程中同时实现纳米线的自组装，经该方法制得的纳米线纸的厚度可调，单次制得的纳米线纸的面积大。
