技术详细介绍
本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法
碳化硅陶瓷特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新结晶排列堆积过程的控制，实现碳化硅晶体颗粒之间的紧密堆积，获得高致密度的多晶体块体陶瓷。采用本发明方法制备得到的碳化硅陶瓷，晶体之间依靠纯碳化硅界面直接结合，碳化硅晶体颗粒通过晶体择优取向定向排列紧密堆积，其体积密度可接近理论密度。
碳化硅陶瓷特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新结晶排列堆积过程的控制，实现碳化硅晶体颗粒之间的紧密堆积，获得高致密度的多晶体块体陶瓷。采用本发明方法制备得到的碳化硅陶瓷，晶体之间依靠纯碳化硅界面直接结合，碳化硅晶体颗粒通过晶体择优取向定向排列紧密堆积，其体积密度可接近理论密度。