[00260264]一种利用原子层沉积技术修饰碳纳米管制备耐高压复合材料及方法
交易价格：
面议
所属行业：
高分子材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710008237.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种利用原子层沉积技术修饰碳纳米管制备耐高压复合材料及方法，主要步骤为1)用硫酸与硝酸的混合酸液酸化碳纳米管；2)将酸化后的碳纳米管置于温度为295～305摄氏度的原子层沉积腔内，以三甲基铝源和去离子水作为ALD沉积薄膜的前驱体源，在酸化后的碳纳米管表面沉积氧化铝；3)利用超声振荡以及磁力搅拌将沉积后的碳纳米管均匀分散到聚合物基体中，通过匀胶机制样并烘干，得到耐高压复合材料。本发明方法制得的复合材料与文献报道的掺杂导电粒子的聚合物基复合材料以及纯聚合物基体相比，击穿强度有显著提高，为制备具有高介电常数，高击穿场强的聚合物基复合材料提供了新的思路。
本发明公开了一种利用原子层沉积技术修饰碳纳米管制备耐高压复合材料及方法，主要步骤为1)用硫酸与硝酸的混合酸液酸化碳纳米管；2)将酸化后的碳纳米管置于温度为295～305摄氏度的原子层沉积腔内，以三甲基铝源和去离子水作为ALD沉积薄膜的前驱体源，在酸化后的碳纳米管表面沉积氧化铝；3)利用超声振荡以及磁力搅拌将沉积后的碳纳米管均匀分散到聚合物基体中，通过匀胶机制样并烘干，得到耐高压复合材料。本发明方法制得的复合材料与文献报道的掺杂导电粒子的聚合物基复合材料以及纯聚合物基体相比，击穿强度有显著提高，为制备具有高介电常数，高击穿场强的聚合物基复合材料提供了新的思路。
