[00260139]一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510041756.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法，属于纳米管阵列制备技术领域。包括以下步骤1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中，备用；2)将二茂铁蒸汽和氧气通入原子层沉积设备的载气系统，然后由载气系统送入真空反应腔体中，在氮气氛围中，开启原子层沉积循环，重复该循环数次，直至在AAO基片的表面和孔洞中生成均匀的Fe3O4薄膜；3)抛光去除AAO基片表面的Fe3O4薄膜；4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除，得到排列整齐的Fe3O4纳米管阵列。本发明方法操作简单，原料来源广，易实现，可以原位生长获得纵横比很大的，排列整齐，形貌和大小都非常均匀的超顺磁Fe3O4纳米管阵列。
本发明公开了一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法，属于纳米管阵列制备技术领域。包括以下步骤1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中，备用；2)将二茂铁蒸汽和氧气通入原子层沉积设备的载气系统，然后由载气系统送入真空反应腔体中，在氮气氛围中，开启原子层沉积循环，重复该循环数次，直至在AAO基片的表面和孔洞中生成均匀的Fe3O4薄膜；3)抛光去除AAO基片表面的Fe3O4薄膜；4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除，得到排列整齐的Fe3O4纳米管阵列。本发明方法操作简单，原料来源广，易实现，可以原位生长获得纵横比很大的，排列整齐，形貌和大小都非常均匀的超顺磁Fe3O4纳米管阵列。
