[00258631]一种基于分级位线结构的SRAM半选干扰消除结构
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201511030520.8
交易方式：
技术转让
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联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
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-
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对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开一种基于分级位线结构的SRAM半选干扰消除结构，包括存储阵列；所述存储阵列为分级位线结构；存储阵列中的存储单元具有单独的读操作支路；存储阵列中的每一列划分为若干个子模块。本发明采用虚拟地线控制，将子模块中各存储单元的读操作支路的地线单独引出，通过地线控制开关统一接入实际地线，并由子模块对应列的列选信号Col控制各地线控制开关的导通状态，切断了读操作时未选中列单元其位线放电通路，从而完全消除了由于半选干扰而导致的静态功耗消耗；而通过局部位线悬浮技术的采用，则在写操作时迫使未选中列局部位线浮空，从而消除了短路放电路径，并且有效地减小了局部位线对半选单元的干扰，使得单元鲁棒性提升，噪声容限增大。
本发明公开一种基于分级位线结构的SRAM半选干扰消除结构，包括存储阵列；所述存储阵列为分级位线结构；存储阵列中的存储单元具有单独的读操作支路；存储阵列中的每一列划分为若干个子模块。本发明采用虚拟地线控制，将子模块中各存储单元的读操作支路的地线单独引出，通过地线控制开关统一接入实际地线，并由子模块对应列的列选信号Col控制各地线控制开关的导通状态，切断了读操作时未选中列单元其位线放电通路，从而完全消除了由于半选干扰而导致的静态功耗消耗；而通过局部位线悬浮技术的采用，则在写操作时迫使未选中列局部位线浮空，从而消除了短路放电路径，并且有效地减小了局部位线对半选单元的干扰，使得单元鲁棒性提升，噪声容限增大。
