[00257694]一种碳化硅结势垒二极管
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710749274.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安理工大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种碳化硅结势垒二极管，将沟槽结构引入4H‑SiC结势垒二极管中，有效的提高4H‑SiC场控二极管的耐压性，改善了高压4H‑SiC结势垒二极管的阻断性能；本发明二极管使用外延形成用于阳极接触的重掺杂接触区，通过刻蚀技术在重掺杂接触区与沟道扩展区制作沟槽的方法，以及离子注入后无碳膜保护的激活退火方法，均有效增加了p结区结深，并改善了欧姆接触阳极的接触特性，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。
摘要：本发明公开了一种碳化硅结势垒二极管，将沟槽结构引入4H‑SiC结势垒二极管中，有效的提高4H‑SiC场控二极管的耐压性，改善了高压4H‑SiC结势垒二极管的阻断性能；本发明二极管使用外延形成用于阳极接触的重掺杂接触区，通过刻蚀技术在重掺杂接触区与沟道扩展区制作沟槽的方法，以及离子注入后无碳膜保护的激活退火方法，均有效增加了p结区结深，并改善了欧姆接触阳极的接触特性，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。
