[00256650]一种开合式三维沟槽电极硅探测器
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201621351373.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
湘潭大学
进入空间
所在地：湖南湘潭市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本实用新型公开了一种开合式三维沟槽电极硅探测器，在硅体上贯穿刻蚀后经过扩散掺杂形成开合式沟槽电极、中央电极，开合式沟槽电极环绕于中央电极之外，中央电极接负极，开合式沟槽电极接正极，开合式沟槽电极为存在开口、不连续的圆柱结构；探测器最底端设有二氧化硅保护层。本实用新型使死区面积最小，工作时粒子能够双面入射，反应更为灵敏；解决了现有技术中三维硅探测器只能单面刻蚀，粒子只能单面入射，且存在死区，影响探测器探测性能的问题。
摘要：本实用新型公开了一种开合式三维沟槽电极硅探测器，在硅体上贯穿刻蚀后经过扩散掺杂形成开合式沟槽电极、中央电极，开合式沟槽电极环绕于中央电极之外，中央电极接负极，开合式沟槽电极接正极，开合式沟槽电极为存在开口、不连续的圆柱结构；探测器最底端设有二氧化硅保护层。本实用新型使死区面积最小，工作时粒子能够双面入射，反应更为灵敏；解决了现有技术中三维硅探测器只能单面刻蚀，粒子只能单面入射，且存在死区，影响探测器探测性能的问题。
