[00254057]一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710890140.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明属于半导体领域，公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法，取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片，每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝，然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合，将两片硅片键合在一起；在键合的过程中部分铝和硅形成合金，硅片之间也会残留铝层，铝层厚度小于或等于0.5微米；将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底；柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配，这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
本发明属于半导体领域，公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法，取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片，每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝，然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合，将两片硅片键合在一起；在键合的过程中部分铝和硅形成合金，硅片之间也会残留铝层，铝层厚度小于或等于0.5微米；将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底；柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配，这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
