[00246384]一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201711489623.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本[发明专利]属于功能陶瓷技术领域，公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法，所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3，其中0.4≤x≤0.5，本[发明专利]的反铁电厚膜具有特殊的电滞回线结构，不仅具有大的耐击穿电场和相转变电场，同时具有较大的极化强度51.8μC/cm2，使其具有较高的储能密度4.2～6.9J/cm3，这对于开发和制备高储能密度反铁电材料具有非常重要的意义。
本[发明专利]属于功能陶瓷技术领域，公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法，所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3，其中0.4≤x≤0.5，本[发明专利]的反铁电厚膜具有特殊的电滞回线结构，不仅具有大的耐击穿电场和相转变电场，同时具有较大的极化强度51.8μC/cm2，使其具有较高的储能密度4.2～6.9J/cm3，这对于开发和制备高储能密度反铁电材料具有非常重要的意义。
