[00244457]一种确定半导体纳米晶体量子点的带隙在不同介质中移动的方法
交易价格：
面议
所属行业：
分析仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710095107.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
浙江工业大学
进入空间
所在地：浙江杭州市
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
一种确定介质本底中半导体纳米晶体量子点带隙移动的方法，建立了介质本底中的量子点模型，引入像电荷的概念，确定了镜像电荷的大小和位置，在激子的哈密顿量中加上电子、空穴和像电荷之间的相互作用势能，用微扰法求解激子的薛定谔方程得到了介质本底中量子点的带隙能表达式，在给定温度下，将量子点的激子玻尔半径、相对介电系数、粒径、体材料带隙能、本底介质的相对介电系数等参数代入表达式，即可得到介质本底中量子点的带隙，最终确定不同本底介质中量子点的带隙移动。本发明可以具体计算出相同尺寸的量子点在不同本底材料中的带隙移动，为光电子器件的设计和半导体纳米晶体材料光学特性的研究提供了直接有力的工具。
一种确定介质本底中半导体纳米晶体量子点带隙移动的方法，建立了介质本底中的量子点模型，引入像电荷的概念，确定了镜像电荷的大小和位置，在激子的哈密顿量中加上电子、空穴和像电荷之间的相互作用势能，用微扰法求解激子的薛定谔方程得到了介质本底中量子点的带隙能表达式，在给定温度下，将量子点的激子玻尔半径、相对介电系数、粒径、体材料带隙能、本底介质的相对介电系数等参数代入表达式，即可得到介质本底中量子点的带隙，最终确定不同本底介质中量子点的带隙移动。本发明可以具体计算出相同尺寸的量子点在不同本底材料中的带隙移动，为光电子器件的设计和半导体纳米晶体材料光学特性的研究提供了直接有力的工具。
