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[00238041]一种氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片及其制备方法和应用

交易价格: 面议

所属行业: 其他

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710571056.6

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 四川钒钛产业技术研究院

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所在地:四川攀枝花市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明提供了一种氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片及其制备方法和应用,将偏钒酸钠和硫代乙酰胺在磁力搅拌状态下同时溶解于去离子水中。然后,将上述溶液倒入反应内衬中后密封,继而将内衬装于外釜中固定后置于均相反应仪中。最后,将反应后的产物冷却后洗涤、收集、干燥,即可得到VOOH包覆的VS2纳米片。本发明制备的VOOH包覆的VS2纳米片化学组成均一,纯度较高,形貌均匀,且具有特定的自组装结构,作为钠离子电池电极材料时表现出了优异的电化学性能。此外,该方法克服了传统煅烧方法温度高的缺点,且不需要大型设备和苛刻的反应条件,原料廉价易得,成本低,产率高,无需后期处理,对环境友好,可以适合大规模生产。
本发明提供了一种氢氧化氧钒包覆的二硫化钒纳米片及其制备方法和应用,将偏钒酸钠和硫代乙酰胺在磁力搅拌状态下同时溶解于去离子水中。然后,将上述溶液倒入反应内衬中后密封,继而将内衬装于外釜中固定后置于均相反应仪中。最后,将反应后的产物冷却后洗涤、收集、干燥,即可得到VOOH包覆的VS2纳米片。本发明制备的VOOH包覆的VS2纳米片化学组成均一,纯度较高,形貌均匀,且具有特定的自组装结构,作为钠离子电池电极材料时表现出了优异的电化学性能。此外,该方法克服了传统煅烧方法温度高的缺点,且不需要大型设备和苛刻的反应条件,原料廉价易得,成本低,产率高,无需后期处理,对环境友好,可以适合大规模生产。

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