[00234449]一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200910061700.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
进入空间
所在地：四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法，可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上，采用反应离子束溅射法沉积厚度为50－200nm的氧化钒薄膜；待自然冷却后，取出样片，再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5～20nm的纳米结构，在半导体区具有－5％/K～－7％/K电阻温度系数(TCR)，合适的方块电阻，与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法，可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上，采用反应离子束溅射法沉积厚度为50－200nm的氧化钒薄膜；待自然冷却后，取出样片，再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5～20nm的纳米结构，在半导体区具有－5％/K～－7％/K电阻温度系数(TCR)，合适的方块电阻，与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
