[00230986]微测辐射热计红外探测器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110150974.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院深圳先进技术研究院
进入空间
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种微测辐射热计红外探测器的制备方法，包括下列步骤：步骤A，采用CMOS工艺制造信号处理电路，同时形成红外探测器单元半成品；步骤B，采用干法刻蚀工艺刻蚀红外探测器单元半成品，形成腐蚀窗口；步骤C，淀积保护层，并刻蚀保护层形成侧墙；步骤D，通过腐蚀窗口腐蚀硅衬底，在红外探测器单元中制作悬空的悬臂和红外吸收层，并形成空腔。上述微测辐射热计红外探测器的制备方法，采用市场上商业标准CMOS工艺与MEMS工艺相结合，可以将红外探测单元与信号处理电路集成在一个芯片上，其制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容，易于集成，非常适合大批量生产。相对于采用成本昂贵及工艺不成熟的SOI技术来说，成本得到大大降低，易于实现工业化量产。
本发明涉及一种微测辐射热计红外探测器的制备方法，包括下列步骤：步骤A，采用CMOS工艺制造信号处理电路，同时形成红外探测器单元半成品；步骤B，采用干法刻蚀工艺刻蚀红外探测器单元半成品，形成腐蚀窗口；步骤C，淀积保护层，并刻蚀保护层形成侧墙；步骤D，通过腐蚀窗口腐蚀硅衬底，在红外探测器单元中制作悬空的悬臂和红外吸收层，并形成空腔。上述微测辐射热计红外探测器的制备方法，采用市场上商业标准CMOS工艺与MEMS工艺相结合，可以将红外探测单元与信号处理电路集成在一个芯片上，其制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容，易于集成，非常适合大批量生产。相对于采用成本昂贵及工艺不成熟的SOI技术来说，成本得到大大降低，易于实现工业化量产。
