[00229921]III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510102490.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构，其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上；在第一半导体层上形成兼作钝化层的掩膜层；对掩膜层的栅极区进行刻蚀，至暴露出第一半导体层；在所述掩膜层的栅极区内生长p型层，所述p型层与第一半导体层组成PN结；在所述p型层上设置p型栅，且使所述p型栅与p型层之间形成欧姆接触。本发明工艺极大降低了p型栅技术的实施难度，并有效解决增强型HEMT器件的可靠性问题，以及有效抑制电流崩塌效应，从而大幅提升HEMT器件的工作性能，实现真正意义上的增强型HEMT。
摘要：本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构，其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上；在第一半导体层上形成兼作钝化层的掩膜层；对掩膜层的栅极区进行刻蚀，至暴露出第一半导体层；在所述掩膜层的栅极区内生长p型层，所述p型层与第一半导体层组成PN结；在所述p型层上设置p型栅，且使所述p型栅与p型层之间形成欧姆接触。本发明工艺极大降低了p型栅技术的实施难度，并有效解决增强型HEMT器件的可靠性问题，以及有效抑制电流崩塌效应，从而大幅提升HEMT器件的工作性能，实现真正意义上的增强型HEMT。
