技术详细介绍
本发明公开了一种化学气相沉积在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法。
氧化锌纳米线的方法包括锌蒸气制备、锌蒸气输运和氧化锌合成沉积步骤，锌蒸气输运步骤中，锌蒸气与硅电极生长面接触时速度方向与硅电极生长面呈85-95°夹角。特别的，锌蒸气的速度方向与重力方向呈0-5°夹角。本发明锌蒸气与硅电极接触时速度方向与硅电极生长面呈85-95°夹角，锌蒸气首先在棱边处与氧气反应结晶生成氧化锌纳米点，该纳米点择优生长，最终形成横向生长的氧化锌纳米线。本发明无需在表面预先蒸镀金属催化剂，具有工序节约，无杂质的优点；本氧化锌纳米线的方法的制造方法还能在硅电极上单独制得横向生长的氧化锌纳米线。
氧化锌纳米线的方法包括锌蒸气制备、锌蒸气输运和氧化锌合成沉积步骤，锌蒸气输运步骤中，锌蒸气与硅电极生长面接触时速度方向与硅电极生长面呈85-95°夹角。特别的，锌蒸气的速度方向与重力方向呈0-5°夹角。本发明锌蒸气与硅电极接触时速度方向与硅电极生长面呈85-95°夹角，锌蒸气首先在棱边处与氧气反应结晶生成氧化锌纳米点，该纳米点择优生长，最终形成横向生长的氧化锌纳米线。本发明无需在表面预先蒸镀金属催化剂，具有工序节约，无杂质的优点；本氧化锌纳米线的方法的制造方法还能在硅电极上单独制得横向生长的氧化锌纳米线。