技术详细介绍
通过引入一些具有不同陷阱深度的有机官能团到共轭聚物中，电学测试发现做为导电通道的共轭主链电荷传输会受陷阱的阻隔，从而实现了电学双稳态；而当陷阱深度达到合适的值（如：0。6eV）并与电极形成较小的能级台阶时，其中的开启（ON）状态处于亚稳状态（微秒级）并可通过刷新电路来维持。这样的元件具有存储、读写、擦除、刷新的能力，具备了动态随机存储器（DRAM）的特性要求。该项目有望应用于计算机内存，以期克服半导体加工技术的某些局限，如：降低原料及生产成本，提高计算机内存的数据存储密度等。
通过引入一些具有不同陷阱深度的有机官能团到共轭聚物中，电学测试发现做为导电通道的共轭主链电荷传输会受陷阱的阻隔，从而实现了电学双稳态；而当陷阱深度达到合适的值（如：0。6eV）并与电极形成较小的能级台阶时，其中的开启（ON）状态处于亚稳状态（微秒级）并可通过刷新电路来维持。这样的元件具有存储、读写、擦除、刷新的能力，具备了动态随机存储器（DRAM）的特性要求。该项目有望应用于计算机内存，以期克服半导体加工技术的某些局限，如：降低原料及生产成本，提高计算机内存的数据存储密度等。