[00222319]一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路
交易价格：
面议
所属行业：
分析仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510808575.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
重庆大学
进入空间
所在地：重庆重庆市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器的输入端连接并同时接输入信号；所述反相器的输出端作为整个电路的输出端，所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M1的漏极连接，所述NMOS管M1的栅极与NMOS管M5的栅极分别接地，所述NMOS管M5的源极与漏极连接并悬空。本发明具有良好的物理唯一性和物理不可复制性，由于ID产生电路使用的晶体管的减少，从而进一步降低了芯片的面积。其内部节点不需要周期性翻转，因此，仅在读取数据的时候消耗极小的能量，使得此发明满足低功耗的要求，具有恒稳定性、功耗低、面积小的优点，从而也降低了成本。
摘要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器的输入端连接并同时接输入信号；所述反相器的输出端作为整个电路的输出端，所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M1的漏极连接，所述NMOS管M1的栅极与NMOS管M5的栅极分别接地，所述NMOS管M5的源极与漏极连接并悬空。本发明具有良好的物理唯一性和物理不可复制性，由于ID产生电路使用的晶体管的减少，从而进一步降低了芯片的面积。其内部节点不需要周期性翻转，因此，仅在读取数据的时候消耗极小的能量，使得此发明满足低功耗的要求，具有恒稳定性、功耗低、面积小的优点，从而也降低了成本。
