[00222252]用SiC作为基片的大功率半导体封装构造及其方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610442110.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
重庆大学
进入空间
所在地：重庆重庆市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种用SiC作为基片的大功率半导体封装构造，包括基板和用SiC作为基片的芯片，所述芯片与基板之间设置有金属泡沫层；将金属泡沫层设置于芯片与基板之间，避免芯片与基板之间接触不紧密而造成接触间隙不利于芯片散热，利用金属泡沫层的弹性形变，使得金属泡沫层与芯片与基板充分接触，保证芯片的散热性能好，同时金属泡沫层能够避免因芯片受到压应力而产生微裂纹，保证芯片使用寿命长且性能稳定，并且整体结构简单，封装方便，大大提高工作效率；同时设置散热填料，形成泡沫金属为主要散热，而散热填料为次要散热的结构，保证形成流畅的散热流。
摘要：本发明公开了一种用SiC作为基片的大功率半导体封装构造，包括基板和用SiC作为基片的芯片，所述芯片与基板之间设置有金属泡沫层；将金属泡沫层设置于芯片与基板之间，避免芯片与基板之间接触不紧密而造成接触间隙不利于芯片散热，利用金属泡沫层的弹性形变，使得金属泡沫层与芯片与基板充分接触，保证芯片的散热性能好，同时金属泡沫层能够避免因芯片受到压应力而产生微裂纹，保证芯片使用寿命长且性能稳定，并且整体结构简单，封装方便，大大提高工作效率；同时设置散热填料，形成泡沫金属为主要散热，而散热填料为次要散热的结构，保证形成流畅的散热流。
