技术详细介绍
本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法（专利号201010213233.1），特指利用带隙变化的纳米晶- 非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶- 非晶两相硅薄膜和P 型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶- 非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV)，所以异质结的开路电压得到提高，另一方面，纳米晶- 非晶两相硅的带隙从1.3eV 变化到1.8eV，由于带隙是渐变的，p 型体硅和纳米晶- 非晶两相硅之间的能带缓慢变化，提高了短路电流和填充因子。硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶- 非晶两相硅和极薄的n 型纳米晶- 非晶两相硅的组合，进一步降低了电子- 空穴在纳米晶- 非晶两相硅层中的复合概率，从而提高短路电流。