技术详细介绍
本发明提供了一种超长单晶β-SiC纳米线无金属催化剂的制备方法（专利号201010154550.0），采用化学气相沉积法，在真空管式炉或化学气相沉积炉中，以含碳气体为碳源，一氧化硅或氧化硅与硅的混合物为硅源，Ar或N2为载气，于温度为1350-1600℃、碳源气体流量为10-80sccm、载气流量为20-80sccm、气压为1.1-1.5atm条件下保温1-6h，在瓷舟、刚玉片或硅片上沉积生长得到长度达厘米级的单晶β-SiC纳米线。本发明完全在无添加金属催化剂、无生长模板的条件下，采用简单、易于操作控制、成本低、无污染的工艺过程合成单晶β-SiC纳米线，合成的单晶β-SiC纳米线具有直径小、分布均匀、长度达厘米级、产量高等特点，有利于进行工业化生产。