技术详细介绍
本发明公开了一种有序有机半导体单晶薄膜阵列的制备方法（专利号201410013952.7）；制备方法是先通过温度梯度法气相沉积或气相传输沉积经过可控生长制备出大尺寸、高长宽比的棒状单晶；再通过溶液超声分散、离心处理、漂浮分散、挤压排列、拉模，制备出大面积、有序排列的有机半导体单晶阵列薄膜；该方法制备的有机半导体单晶阵列薄膜可潜在应用于制备高性能的有机光电子器件。
本发明公开了一种有序有机半导体单晶薄膜阵列的制备方法（专利号201410013952.7）；制备方法是先通过温度梯度法气相沉积或气相传输沉积经过可控生长制备出大尺寸、高长宽比的棒状单晶；再通过溶液超声分散、离心处理、漂浮分散、挤压排列、拉模，制备出大面积、有序排列的有机半导体单晶阵列薄膜；该方法制备的有机半导体单晶阵列薄膜可潜在应用于制备高性能的有机光电子器件。