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[00207396]一种大尺寸超薄硒化铋(Bi2Se3)纳米片

交易价格: 12 万元 - 65 万元

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过小试

专利所属地:中国

专利号:201310496510.8

交易方式: 技术转让

联系人: 郑胜余

进入空间

所在地:浙江温州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  本发明公开了一种大尺寸超薄硒化铋(Bi2Se3)纳米片的制备方法(专利号201310496510.8)——气相传输法,该方法简单可靠,工艺重复性好,可操作性强。其制备工艺包括以下几步:1)按2:3的摩尔比称取一定量的铋粉和硒粉,清洗好Si/SiO2衬底、石英管,并将衬底用耐高温胶粘附在石英块上;2) 在石英管一端放入原料铋粉和硒粉,另一端垂直放入Si/SiO2衬底,将石英管抽真空,密封;3)将石英管放入高真空管式炉中,按一定加热速率,在设定温度下保温一定时间后,随炉冷却;4)取出并切开石英管,得到长有Bi2Se3纳米片的Si/SiO2衬底。由于本方法以高纯度的铋粉和硒粉为原料,且在高温高真空状态下合成,因此得到的Bi2Se3纳米片结晶性好、纯度高,在光电子器件、热电冷凝装置等领域具有广阔的应用前景。

  本发明公开了一种大尺寸超薄硒化铋(Bi2Se3)纳米片的制备方法(专利号201310496510.8)——气相传输法,该方法简单可靠,工艺重复性好,可操作性强。其制备工艺包括以下几步:1)按2:3的摩尔比称取一定量的铋粉和硒粉,清洗好Si/SiO2衬底、石英管,并将衬底用耐高温胶粘附在石英块上;2) 在石英管一端放入原料铋粉和硒粉,另一端垂直放入Si/SiO2衬底,将石英管抽真空,密封;3)将石英管放入高真空管式炉中,按一定加热速率,在设定温度下保温一定时间后,随炉冷却;4)取出并切开石英管,得到长有Bi2Se3纳米片的Si/SiO2衬底。由于本方法以高纯度的铋粉和硒粉为原料,且在高温高真空状态下合成,因此得到的Bi2Se3纳米片结晶性好、纯度高,在光电子器件、热电冷凝装置等领域具有广阔的应用前景。

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