技术详细介绍
一种利用二次生长法制备取向分子筛膜的方法（专利号200910263978.6），是采用静电吸附-超声法将分子筛晶种担载在载体上形成晶种层。通过调节晶种液的pH值形成表面静电层，并在超声辅助下使晶种以最大的a-c面与载体接触，形成均匀连续b轴取向分子筛晶种层。然后再经二次生长制备致密连续的b轴取向分子筛膜。本发明易于控制分子筛膜的厚度和取向性，具有重复性，适用于规模化生产。
一种利用二次生长法制备取向分子筛膜的方法（专利号200910263978.6），是采用静电吸附-超声法将分子筛晶种担载在载体上形成晶种层。通过调节晶种液的pH值形成表面静电层，并在超声辅助下使晶种以最大的a-c面与载体接触，形成均匀连续b轴取向分子筛晶种层。然后再经二次生长制备致密连续的b轴取向分子筛膜。本发明易于控制分子筛膜的厚度和取向性，具有重复性，适用于规模化生产。