[00019494]一种MEMS器件制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
非专利
技术成熟度：
正在研发
交易方式：
技术转让
联系人：
齐晴
进入空间
所在地：上海崇明
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
技术投资分析：
本项目提出一种采用改进了的电化学深刻蚀技术制作微机电系统器件方法，其过程包括对硅片的背面进行同型离子注入以获得较好的电接触。并直接退火以激活；淀积掩模层，一种比较理想的掩模层是低应力氮化硅，通过光刻以及刻蚀工艺，腐蚀掉需要开孔的区域的掩模层，打开窗口。采用KOH或TMAOH对腐蚀，在窗口处获得倒金字塔结构。光刻去除背面的氮化硅，这样一方面获得良好的电接触，也为将来的双面加工创造条件。
采用背面光照或磁场辅助的电化学刻蚀，背面减薄等过程制作微机电器件，能够实现的器件包括精密陀螺、加速度传感器、微流体通道及微纳米喷头、以及场发射及扫描探针阵列、微通道板等器件。
技术的应用领域前景分析：
本技术投资少，见效快，市场前景广，特别适合于中小企业生产。
效益分析：
本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。
厂房条件建议：
无
备注：
无
技术投资分析：
本项目提出一种采用改进了的电化学深刻蚀技术制作微机电系统器件方法，其过程包括对硅片的背面进行同型离子注入以获得较好的电接触。并直接退火以激活；淀积掩模层，一种比较理想的掩模层是低应力氮化硅，通过光刻以及刻蚀工艺，腐蚀掉需要开孔的区域的掩模层，打开窗口。采用KOH或TMAOH对腐蚀，在窗口处获得倒金字塔结构。光刻去除背面的氮化硅，这样一方面获得良好的电接触，也为将来的双面加工创造条件。
采用背面光照或磁场辅助的电化学刻蚀，背面减薄等过程制作微机电器件，能够实现的器件包括精密陀螺、加速度传感器、微流体通道及微纳米喷头、以及场发射及扫描探针阵列、微通道板等器件。
技术的应用领域前景分析：
本技术投资少，见效快，市场前景广，特别适合于中小企业生产。
效益分析：
本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。
厂房条件建议：
无
备注：
无
