[01820685]一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
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本发明提出了一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（LDMOS）,该LDMOS器件主要特点是在器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。通过将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中,利用SiC材料具有较高的临界击穿电场（EC-SiC＝3.0×10^6V/cm＞EC-Si＝3.0×10^5V/cm）的特性,使得器件的击穿位置在SiC埋层中,从而有效地提高了LDMOS的击穿电压,使得器件的性能大幅度提高。