[00018872]一种低应力LED倒装功率芯片及其制备
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200710042794.8
交易方式：
技术转让
联系人：
齐晴
进入空间
所在地：上海崇明
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
技术投资分析：
主要包括：
制作有P-N电极的外延片、制作有反射层的硅衬底和填充层，其特征在于在制作有P-N电极的外延片和制作有反射层的硅衬底之间的填充层为合金填充层，通过合金填充层倒装焊接、键合功率LED倒装芯片。制作时先制作带P-N电极的外延片，再制作带有反射层的硅衬底，然后将两者通过填充合金纯加热法键合进行倒装焊接在一起。
本发明提供的低应力LED倒装功率芯片，它改善倒装芯片的应力问题，并降芯片的热阻，可有效提高大功率LED倒装芯片的散热能力、稳定性、成品率。
有效地提高了大功率LED倒装芯片的散热能力、可靠性和成品率，降倒装芯片的应力和热阻，从而极大地提高了芯片的质量和器件的性能。
技术的应用领域前景分析：
本发明涉及一种低应力LED倒装功率芯片，以及该倒装功率芯片的制备方法，属于半导体器件及其制造工艺技术领域。
效益分析：
本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。
厂房条件建议：
无
备注：
无
技术投资分析：
主要包括：
制作有P-N电极的外延片、制作有反射层的硅衬底和填充层，其特征在于在制作有P-N电极的外延片和制作有反射层的硅衬底之间的填充层为合金填充层，通过合金填充层倒装焊接、键合功率LED倒装芯片。制作时先制作带P-N电极的外延片，再制作带有反射层的硅衬底，然后将两者通过填充合金纯加热法键合进行倒装焊接在一起。
本发明提供的低应力LED倒装功率芯片，它改善倒装芯片的应力问题，并降芯片的热阻，可有效提高大功率LED倒装芯片的散热能力、稳定性、成品率。
有效地提高了大功率LED倒装芯片的散热能力、可靠性和成品率，降倒装芯片的应力和热阻，从而极大地提高了芯片的质量和器件的性能。
技术的应用领域前景分析：
本发明涉及一种低应力LED倒装功率芯片，以及该倒装功率芯片的制备方法，属于半导体器件及其制造工艺技术领域。
效益分析：
本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。
厂房条件建议：
无
备注：
无
