[01762164]具有SiO2保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法
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本发明涉及一种具有SiO2保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：（a）选取SOI衬底;（b）刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽;（c）对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区;（d）光刻引线孔并金属化处理以形成所述固态等离子体PiN二极管。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能具有SiO2保护作用的固态等离子体PiN二极管。