[01652811]铋锶钴氧热电薄膜的外延生长及其相关器件研制
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类型:
非专利
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技术详细介绍
采用脉冲激光沉积技术在单晶基片上外延生长高质量的Bi2Sr2Co2Oy热电薄膜。在此基础上,通过掺杂、薄膜晶粒纳米化及构建纳米复合多层膜结构对Bi2Sr2Co2Oy外延膜中的电、声子特性分别进行控制,从而进一步提高样品的热电性能。同时,开展和Bi2Sr2Co2Oy外延薄膜相关的激光诱导电压效应和异质结整流特性的研究,为今后开发Bi2Sr2Co2Oy光(热)探测器和Bi2Sr2Co2Oy/Nb:SrTiO3全氧化物p-n异质结提供实验基础。
采用脉冲激光沉积技术在单晶基片上外延生长高质量的Bi2Sr2Co2Oy热电薄膜。在此基础上,通过掺杂、薄膜晶粒纳米化及构建纳米复合多层膜结构对Bi2Sr2Co2Oy外延膜中的电、声子特性分别进行控制,从而进一步提高样品的热电性能。同时,开展和Bi2Sr2Co2Oy外延薄膜相关的激光诱导电压效应和异质结整流特性的研究,为今后开发Bi2Sr2Co2Oy光(热)探测器和Bi2Sr2Co2Oy/Nb:SrTiO3全氧化物p-n异质结提供实验基础。