[01588727]基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法
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本发明公开了基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法,属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅双极型晶体管存在薄基区结构可能会导致低的击穿电压的问题。包括：N+发射区,设置在所述基区上表面,包括呈倾斜槽型的器件沟槽,呈垂直槽型的发射区台面和器件隔离区;基极P+注入区,设置在所述发射区台面下表面,且位于所述基区内;所述器件沟槽设置在所述N+发射区,且延伸至所述N-集电区上部;所述器件隔离区设置在所述基区,且延伸至所述N-集电区上部。