技术详细介绍
一种二极管选择元件阵列结构及制造方法：博佳琴电子科技提供一种二极管选择元件阵列结构制造方法，该方法采用掩埋字线(buried word line)方式制造二极管选择元件阵列，该阵列适用于高密度的存储元件如相变化存储器(Phase Change Memory，PRAM)、电阻随机存取存储器(Resistive Random Access Memory，RRAM)、导电桥随机存取记忆体(Conductive Bridge Random Access Memory，CBRAM)等，制造步骤简单，而且不需使用外延生长(Epitaxial Growth)。该方法在P型半导体衬底上间隔形成浅隔离槽，浅隔离槽之间形成胚体柱，其中之一为P结胚体柱，其余为N结胚体柱；在浅隔离槽中填满绝缘层；在P型半导体衬底上形成N阱；在N阱上层掩埋第一P型扩散层；N结胚体柱上形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成二极管第一极；P结胚体柱上延伸形成第二P型扩散层，第二P型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与第二P型扩散层连接形成二极管第二极；N阱一侧上层形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成N阱的接触点电极。该制造方法工艺简单，节约制造成本；由该方法形成二极管选择元件阵列结构，品质较好。