技术详细介绍
1.总结半导体纳米材料制备技术,最终优先选取有较大的波尔半径的PbS及PbSe量子点作为掺杂材料。研究了合成不同时间下,量子点尺寸,形状的生长情况,以及量子点荧光谱的峰值位置及半宽变化情况。通过调整合成时间及温度,合成了荧光峰值对应于光通信波段1550nm的量子点。 2.设计新型的高分子材料,采用活性/可控聚合反应来制备具有双亲性质的高分子。通过高分子修饰PbS量子点:最大保持量子点的荧光效率;高分子修饰的PbS量子点在乙醇里具有良好的分散性,使其与二氧化硅溶胶-凝胶过程兼容;高分子与二氧化硅体系具有低的折射率,保证光在光纤中传输。 3.分析了影响氢氧熔融拉锥损耗的各种参数,采用火焰熔融拉锥的方法制备了光纤耦合器,采用标准的单模光纤,与商用单模光纤通信系统具有很好的兼容性,光纤耦合器的分光比为1:1,锥区总长2cm,锥腰直径约16um,且附加损耗低于0.3。 4.制备了基于渐逝波激发的半导体量子点单模光纤放大器,放大1550nm信号光,放大增益大于10dB,且研究了放大器随泵浦光功率改变而增大最后趋于平坦饱和的增益特性。
1.总结半导体纳米材料制备技术,最终优先选取有较大的波尔半径的PbS及PbSe量子点作为掺杂材料。研究了合成不同时间下,量子点尺寸,形状的生长情况,以及量子点荧光谱的峰值位置及半宽变化情况。通过调整合成时间及温度,合成了荧光峰值对应于光通信波段1550nm的量子点。 2.设计新型的高分子材料,采用活性/可控聚合反应来制备具有双亲性质的高分子。通过高分子修饰PbS量子点:最大保持量子点的荧光效率;高分子修饰的PbS量子点在乙醇里具有良好的分散性,使其与二氧化硅溶胶-凝胶过程兼容;高分子与二氧化硅体系具有低的折射率,保证光在光纤中传输。 3.分析了影响氢氧熔融拉锥损耗的各种参数,采用火焰熔融拉锥的方法制备了光纤耦合器,采用标准的单模光纤,与商用单模光纤通信系统具有很好的兼容性,光纤耦合器的分光比为1:1,锥区总长2cm,锥腰直径约16um,且附加损耗低于0.3。 4.制备了基于渐逝波激发的半导体量子点单模光纤放大器,放大1550nm信号光,放大增益大于10dB,且研究了放大器随泵浦光功率改变而增大最后趋于平坦饱和的增益特性。