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[01533443]三维集成电路的电热特性分析与优化技术研究

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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技术详细介绍

针对3-D ICs信号完整性与热设计可靠性的需要,研究TSV电热传输特性与优化设计方法: (1)根据导体截面矩量法与1-D泊松方程提取铜与碳纳米管TSV阻抗参数矩阵与导纳参数矩阵,推导TSV频率相关的RLCG等效参数解析表达式; (2)根据ABCD参数矩阵方法,建立适用于铜与碳纳米管互连通孔结构的TSV串扰分布解析模型,分析各个关键工艺设计参数对于耦合噪声影响; (3)提出适用于3-D ICs设计的串扰噪声优化设计方法; (4)基于热力学方程,建立考虑通孔效应的热解析模型; (5)提出满足芯片峰值温度设计需求与功耗优化的微沟道分布技术。 为三维集成技术应用于未来集成电路设计提供必要的理论和技术基础。 本项目的研究成果主要以仿真结果和研究内容为主要形式,其中后者有7篇论文发表于国内外刊物和会议上,申请发明专利1项。研究成果利用方式有两种: (1)本项目可以作为申请更高一级课题的支撑材料,从而实现项目组长期的研究目标; (2)结合已有研究成果,申请相关国防、民用领域横向课题,以实现其为国民经济服务的目的。
针对3-D ICs信号完整性与热设计可靠性的需要,研究TSV电热传输特性与优化设计方法: (1)根据导体截面矩量法与1-D泊松方程提取铜与碳纳米管TSV阻抗参数矩阵与导纳参数矩阵,推导TSV频率相关的RLCG等效参数解析表达式; (2)根据ABCD参数矩阵方法,建立适用于铜与碳纳米管互连通孔结构的TSV串扰分布解析模型,分析各个关键工艺设计参数对于耦合噪声影响; (3)提出适用于3-D ICs设计的串扰噪声优化设计方法; (4)基于热力学方程,建立考虑通孔效应的热解析模型; (5)提出满足芯片峰值温度设计需求与功耗优化的微沟道分布技术。 为三维集成技术应用于未来集成电路设计提供必要的理论和技术基础。 本项目的研究成果主要以仿真结果和研究内容为主要形式,其中后者有7篇论文发表于国内外刊物和会议上,申请发明专利1项。研究成果利用方式有两种: (1)本项目可以作为申请更高一级课题的支撑材料,从而实现项目组长期的研究目标; (2)结合已有研究成果,申请相关国防、民用领域横向课题,以实现其为国民经济服务的目的。

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