该项技术主要用于微电子工业领域,用做层间介电薄膜材料,微电子器件的封装材料,如大规模集成电路MCM、微电机系统MEMS等;用于液晶显示器的封装,高分子薄膜导波器等,应用范围十分广泛,属军民两用技术。
主要技术指标:
介电常数(2.65 – 2.50 @1-20 GHz)
介电损耗 (0.0008 – 0.002 @1-20 GHz )
击穿电压(5.3×106 V/cm)
吸湿性(0.23%, 100℃沸水中24h)
分解温度(Td):420℃
初始分解温度(T0):350℃
玻璃化转变温度(Tg)>350 ℃
薄膜平整性>90%