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[00151613]碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他化学化工

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200810071336.1

交易方式: 技术转让

联系人: 中国科学院海西研究院

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所在地:福建福州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

  本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前驱体热解的工艺步骤,热解温度范围为400-750℃。本发明中,掺杂稀土离子部分取代La2O2CO3中的La离子,掺杂后碳酸氧化纳镧基纳米荧光粉体的通式可以表示为:(La1-xREx)2O2CO3,RE可选用Dy3+或Er3+或Nd3+或Ho3+或Yb3+或Tm3+或Tb3+或Eu3+或Sm3+或Pr3+中的一种,x表示掺杂离子的摩尔量,0≤x≤0.2。该纳米荧光粉体,颗粒细小,具有片状形貌,薄片厚度大部分在10-50nm范围内。本发明制备的碳酸氧化镧基纳米荧光粉体可应用于显示、照明、防伪、光电器件等方面及其相关领域中的用途。

  本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前驱体热解的工艺步骤,热解温度范围为400-750℃。本发明中,掺杂稀土离子部分取代La2O2CO3中的La离子,掺杂后碳酸氧化纳镧基纳米荧光粉体的通式可以表示为:(La1-xREx)2O2CO3,RE可选用Dy3+或Er3+或Nd3+或Ho3+或Yb3+或Tm3+或Tb3+或Eu3+或Sm3+或Pr3+中的一种,x表示掺杂离子的摩尔量,0≤x≤0.2。该纳米荧光粉体,颗粒细小,具有片状形貌,薄片厚度大部分在10-50nm范围内。本发明制备的碳酸氧化镧基纳米荧光粉体可应用于显示、照明、防伪、光电器件等方面及其相关领域中的用途。

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