[00143400]一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用
交易价格：
30 万元
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200910095419.9
交易方式：
技术转让
联系人：
宁波大学
进入空间
所在地：浙江宁波市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用,其特征在于它采用三维骨架结构的聚合物整体型模板,然后将
SiO2的前驱物硅酸酯在模板的孔道内原位水解,使水解产生的SiO2在聚合物表面沉积,形成三维连续的超薄膜,然后将聚合物/SiO2复合物在高温下煅
烧,除去聚合物,同时又使SiO2烧结成型,最后剩下目标产物,使该三维SiO2超薄膜的厚度为15～90纳米可控,孔隙率为50%～95%;它可作为催化剂载体,也可用于合成新型的三维超薄膜材料,制备方法条件温和,适合大规模生产制造。
一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用,其特征在于它采用三维骨架结构的聚合物整体型模板,然后将
SiO2的前驱物硅酸酯在模板的孔道内原位水解,使水解产生的SiO2在聚合物表面沉积,形成三维连续的超薄膜,然后将聚合物/SiO2复合物在高温下煅
烧,除去聚合物,同时又使SiO2烧结成型,最后剩下目标产物,使该三维SiO2超薄膜的厚度为15～90纳米可控,孔隙率为50%～95%;它可作为催化剂载体,也可用于合成新型的三维超薄膜材料,制备方法条件温和,适合大规模生产制造。
