[01410725]一种横向高压功率器件的结终端结构3
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技术详细介绍
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁连接,延伸方向为圆弧路径,这样可以缓解连接处电场曲率效应。其次,将P型埋层9超出N型漂移区2一些距离,P型埋层还超出N型掺杂层10为3微米,改善电荷不平衡。本发明的有益效果为,改善直线与曲率的结终端结构相连部分电荷不平衡与电场曲率效应,避免提前击穿,以得到最优化的击穿电压。