X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
平台简介 | 帮助中心
欢迎来到科易厦门城市创新综合服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00141946]一种上转换荧光材料及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 涂料、颜料、油墨

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201310088509.1

交易方式: 技术转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

进入空间

所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明提供了一种上转换荧光材料,以GaN为基质,Yb3+为敏化剂,其化学组成为Ga1-x-y-zYbyRexSiZN,其中,Re为稀土金属Er、Tm、Ho、Pr、Sm或Dy中的任意一种,0.1%≤x≤2%,x≤y≤5x,0.01%≤z≤0.1%。另外,本发明还提供了一种上转换荧光材料的制备方法。本发明提供的上转换荧光材料,以GaN为基质,有效利用了GaN的热稳定性好、熔点高、易于实现稀土离子掺杂性能,同时,以Yb3+作为敏化剂,提高了上转换的转换效率,使得制备的上转换荧光材料热稳定性好、上转换效率高。
本发明提供了一种上转换荧光材料,以GaN为基质,Yb3+为敏化剂,其化学组成为Ga1-x-y-zYbyRexSiZN,其中,Re为稀土金属Er、Tm、Ho、Pr、Sm或Dy中的任意一种,0.1%≤x≤2%,x≤y≤5x,0.01%≤z≤0.1%。另外,本发明还提供了一种上转换荧光材料的制备方法。本发明提供的上转换荧光材料,以GaN为基质,有效利用了GaN的热稳定性好、熔点高、易于实现稀土离子掺杂性能,同时,以Yb3+作为敏化剂,提高了上转换的转换效率,使得制备的上转换荧光材料热稳定性好、上转换效率高。

推荐服务:

智能制造服务热线:0592-5380947

运营商:厦门科易帮信息技术有限公司     

增值电信业务许可证:闽B2-20100023      闽ICP备07063032号-5