[00141776]一种射频单电子晶体管扫描探针及其应用
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210410722.5
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及纳米器件及纳米加工技术，尤其是一种射频单电子晶体管扫描探针的结构及其应用。这种射频单电子晶体管扫描探针，包括一端呈针形的凸出部的SOI衬底，还包括集成在所述SOI衬底上、相互匹配的射频共振电路及单电子晶体管；所述单电子晶体管集成在SOI针形凸出部。本发明还提供这种射频单电子晶体管扫描探针的制作方法以及利用这种射频单电子晶体管扫描探针制作电荷扫描成像与示波和原子力显貌成像系统。所述系统具备高灵敏度、高速和高空间分辨率，以及可以进行低温三维扫描形成电荷的分布形貌和几何形貌，也可以定点检测纳米器件或电路中任意一点处的电势及其动态变化。
本发明涉及纳米器件及纳米加工技术，尤其是一种射频单电子晶体管扫描探针的结构及其应用。这种射频单电子晶体管扫描探针，包括一端呈针形的凸出部的SOI衬底，还包括集成在所述SOI衬底上、相互匹配的射频共振电路及单电子晶体管；所述单电子晶体管集成在SOI针形凸出部。本发明还提供这种射频单电子晶体管扫描探针的制作方法以及利用这种射频单电子晶体管扫描探针制作电荷扫描成像与示波和原子力显貌成像系统。所述系统具备高灵敏度、高速和高空间分辨率，以及可以进行低温三维扫描形成电荷的分布形貌和几何形貌，也可以定点检测纳米器件或电路中任意一点处的电势及其动态变化。
