[01394657]基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底;在衬底下表面形成反光层;在衬底上表面制作源漏电极;在衬底上表面形成电子传输层;在电子传输层表面形成包括CH3NH3PbI3材料的光吸收层;在光吸收层表面制作栅电极以最终形成N型异质结HEMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子,在衬底下表面镀银形成反射增强型HEMT,具有迁移率高,开关速度快,光吸收以及光利用率增强,光生载流子增多,光电转换效率大的优点。另外,采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结,能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量,从而产生更大的晶粒和更少的晶界,吸收更多的光产生光生载流子,增强器件性能。