[01391126]高击穿电压氧化镓肖特基二极管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种高击穿电压氧化镓肖特基二极管结构,自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底（1）和低掺杂n型Ga2O3外延层（2）和阳极电极（4）,衬底的下表面沉积有阴极电极（5）,阳极电极与外延层（2）形成肖特基接触,阴极电极与衬底（1）形成欧姆接触,外延层（2）的上表面沉积有厚度为300～500nm的有机铁电介质层（3）;有机铁电介质层上刻蚀有圆形孔,阳极电极沉积在有机铁电介质层的孔内,孔的边缘沉积有场板（6）,该场板位于有机铁电介质层之上,并与阳极电极连接。本发明提高了反向击穿电压,且保持其正向特性不变,可用于高速集成电路和微波电路。