[01379455]一种基于P+掺杂区、N型深阱二极管的双向ESD防护器件
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技术详细介绍
一种基于P+掺杂区、N型深阱二极管的双向ESD防护器件版图涉及集成电路静电防护器件版图设计技术领域,特别涉及由P+-NWD二极管构成的双向静电释放器件版图布图。 按照本版图设计的双向静电释放器件具备如下优点：梳状金属2布线连接到二极管阵列的P+掺杂区,布线上下对称,该布线方式将泄放电流同时引到二极管阵列的各个单元,和指长方向的各个位置,保证了在正ESD脉冲和负ESD脉冲下电流泄放的均匀性,使得器件防护等级高、正向与负向特性一致。 本器件可用于集成电路的片外防护,也可用于集成电路的片内静电防护,片内防护时,阴极接地。本版图所设计的布局布线方式对由二极管构成的双向静电防护器件具有一般性,能够有效提高器件的防护等级。